عبدالمجید مسکوکی؛ محمد نقی اشتیاقی
چکیده
اثر میدان الکتریکی پالسی قوی بر فرآیند انتقال جرم از خلال چغندر با ضخامت های متفاوت در مقایسه با تیمار حرارت مورد بررسی قرار گرفت . برای این منظور، میدان الکتریکی قوی (با قدرت kV3، µF 8 با 20 پالس) بر دو نوع خلال ضخیم با ابعاد 5/0 ± 3 میلی متر عرض و خلال نازک 3/0 ± 2 عرض هر دو دارای 5-3 سانتی متر طول اعمال و با نمونه های تیمار شده توسط حرارت C°80 به ...
بیشتر
اثر میدان الکتریکی پالسی قوی بر فرآیند انتقال جرم از خلال چغندر با ضخامت های متفاوت در مقایسه با تیمار حرارت مورد بررسی قرار گرفت . برای این منظور، میدان الکتریکی قوی (با قدرت kV3، µF 8 با 20 پالس) بر دو نوع خلال ضخیم با ابعاد 5/0 ± 3 میلی متر عرض و خلال نازک 3/0 ± 2 عرض هر دو دارای 5-3 سانتی متر طول اعمال و با نمونه های تیمار شده توسط حرارت C°80 به مدت ثابت 15 دقیقه مقایسه گردیدند. نمونه های شاهد و تیمار شده توسط پرس آزمایشگاهی در سه مرحله و هربار به میزان 20بار (2 مگاپاسکال) فشرده و میزان بریکس ، هدایت الکتریکی شربت حاصل به عنوان شاخص های انتقال جرم ، راندمان شربت و سرعت خشک شدن تفاله حاصل از نمونه ها نیز اندازه‌گیری شدند. نتایج پس از تجزیه و تحلیل آماری حاکی از افزایش انتقال جرم بیش از دو برابر در نمونه های تیمار شده با میدان الکتریکی به ویژه در خلال نازک و نیز افزایش راندمان بالاتر شربت نسبت به فرآیند حرارتی بود . بیشترین میزان مواد جامد محلول در اولین مرحله پرس به دست آمد. هم چنین سرعت خشک شدن تفاله در نمونه های تیمار شده توسط میدان الکتریکی به دلیل حفظ شکل فیزیکی خلال ها ، افزایش روزنه های ایجاد شده در بافت و سلولهای چغندر در مقایسه با نمونه های تیمار شده توسط حرارت به دلیل از هم گسیختگی سلولها و ایجاد کلوخه و ممانعت از خروج رطوبت افزایش قابل ملاحظه ای نشان دادند.
واژه های کلیدی: میدانهای الکتریکی پالسی، انتقال جرم، چغندر قند، بریکس، هدایت الکتریکی
عبدالمجید مسکوکی؛ محمد نقی اشتیاقی
چکیده
اثر میدانهای الکتریکی پالسی قوی بر میزان تخریب سلولهای چغندر قند مورد مطالعه قرار گرفت. در این تحقیق اثرشرایط مختلف میدان که شامل قدرت میدان (5/0 تا 6 کیلوولت بر سانتیمتر )، تعداد پالس ( 1تا 100 پالس) و ظرفیت خازن (5/0 تا 32 میکرو فاراد) بر درجه تخریب سلول و انرژی مصرفی چغندر بررسی گردیدند. نتایج اولیه نشان دادند که میدانهای با قدرت 2 و 3 ...
بیشتر
اثر میدانهای الکتریکی پالسی قوی بر میزان تخریب سلولهای چغندر قند مورد مطالعه قرار گرفت. در این تحقیق اثرشرایط مختلف میدان که شامل قدرت میدان (5/0 تا 6 کیلوولت بر سانتیمتر )، تعداد پالس ( 1تا 100 پالس) و ظرفیت خازن (5/0 تا 32 میکرو فاراد) بر درجه تخریب سلول و انرژی مصرفی چغندر بررسی گردیدند. نتایج اولیه نشان دادند که میدانهای با قدرت 2 و 3 کیلوولت بر سانتیمتر، 8 میکرو فاراد به ترتیب با 20و10پالس قادرند در کمتر از 1 دقیقه سبب تخریب سلول گردند. مهم ترین عوامل مؤثر بر قابل نفوذ نمودن سلولهای چغندر قند به ترتیب عبارتند از انرژی اعمال شده و قدرت میدان الکتریکی. در مقادیر انرژی مساوی و یا بیشتر از2/3 کیلوژول بر کیلوگرم با افزایش قدرت میدان میزان تخریب سلولی نیز افزایش می‌یابد. میزان انتقال جرم پس از تخریب سلولی به وسیله میدان الکتریکی پالسی با اندازه گیری انتقال و نشت یونها و قند ازداخل سلول دردرجه حرارت معمول، حرارت متوسط وبالا(50 ، 70 و 80 درجه سانتیگراد) در مدت 15 دقیقه مورد ارزیابی قرار گرفته و با روشهای معمول و سنتی استخراج قند از چغندر (متوسط 75 درجه سانتیگراد) و نیز شرایط حرارت معتدل 50 درجه سانتیگراد مقایسه گردیدند. نتایج نشان دهنده خروج مقادیر قابل ملاحظه ای مواد قندی از سلول پس از اعمال میدان 2 کیلوولت و 8 میکروفاراد در حرارت معمول بود. درحالی که برای حصول همین مقدار قند اعمال حرارت 75 درجه سانتیگراد و زمان طولانی نیازاست. علاوه براین میزان انرژی مصرفی در فرآیند حرارتی تقریباً 20 برابرانرژی مورد نیاز برای میدان الکتریکی پالسی است. با افزایش قدرت میدان میزان بریکس و هدایت الکتریکی در شربت افزایش می‌یابد و این مسأله در افزایش راندمان و بهره وری در تولید قند از چغندر قند در سطح اقتصادی اهمیت زیادی دارد. تنظیم شرایط میدان ( قدرت میدان ، ظرفیت خازن ها، تعداد پالس و تنظیم شرایط محفظه تیمار در صرفه جویی انرژی و افزایش راندمان و مورد نیاز نقش اساسی دارند.
واژه های کلیدی: فرآیند‌های غیر حرارتی، میدانهای الکتریکی پالسی، چغندر قند، تخریب سلولی
